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ST-668之用途在於，依據 mapping資料，電腦預先計算混Bin的資訊，將黏貼於薄膜上之wafer晶粒依指定之座標逐個取出，將之整齊排列於特定的Bin Frame藍膜(或是基材)的特殊座標位置上。達到分選、混 Bin 與精準排列同時完成的目的。 其基材需先貼覆黏性薄膜，或可沾附黏著。晶粒放置位置需有對位記號，廣域精度可達10um。 

產品規格:

• Cycle Time & Place Accuracy : 90ms，有對位pattern 後置晶 ，X、Y ≦ ±10um & θ≦±2° @3σ (for chip size 200um x 200um，Pitch 500um以內)。70ms，無對位pattern 後置晶，X、Y ≦ ±15um & θ≦±2° @3σ(for chip size 200um x 200um，Pitch 500um以內)
• 掃描判別率 : > 99.95 %
• Chip Size : 3mil x 5mil ~ 20mil x 20mil，80μm≦T≦200um
• Substrate(基材) : 最大有效區：1.方形214mm x 170 mm。Bin Frame尺寸：205mm x 205mm x 1.2Tmm、286mm x 286mm x 1.2Tmm

RP-06的用途在於可在烘烤(reflow)前將基板上不合格晶粒移除並重新固晶，利用優異的AOI功能掃描基板定位需移除之晶粒，富有多種工具提供適合的製程返修；另外因應烘烤後修補需求，本設備能加裝雷射燒結模組，提供重新補錫與補晶的點位進行單點雷射迴焊。

• AOI功能掃描定位基板並移除reflow前不合格晶粒(歪斜、立晶、缺晶)再重新固晶，以及掃描確認錫膏面積是否足夠
• 若有異常則進行返修，提供reflow後單顆補錫、補晶、IR雷射燒結(NG品需另外去除)，可輸出Repairing mapping資料
• 四種reflow前修補功能模組：除晶模組、補晶模組、除錫膏模組、點錫膏模組，另新增IR雷射燒結模組，提供reflow後修補
• 補晶精度 : XY ±15μm ，θ±3° @3σ
• 點膠規格 : 沾點面積85%~115%
• 修補良率 : 矽膜修補99%
• 基板 : 適用92mm x 134mm ~286mm x 286mm。基板不限貼附於Frame的膠膜、玻璃、PCB
• Chip Size : 90μm x 127μm ~ 1.5mm x 1.5mm ; 75μm ≦ T ≦ 350μm

• 可將預排好的晶粒快速整面的進行定位，並均勻壓實覆貼於基板
• 晶粒固定位置不受基板變形影響，基板彎曲狀態亦可密實貼合
• 取代人工必須製程動作
• 高解析光機，可設定矩陣大量取像
• 以紅外線加熱進行固晶，且僅加熱基板表面不影響背面焊接IC
• 配設觀察光機，參數調整測試以便觀察烤箱內狀況

產品規格:

• 晶粒基板對位貼合 ≦ 75sec，對位精度：X、Y≦±5um/200mm x 200mm (四角落平均誤差)
• 單片基板放置與夾持，加熱焊接≦ 50sec，最高溫度≦300°
• 適用材料規格:PCB ≦230mm x 230mm，總厚度 ≦29.0mm(含載板) ; 玻璃對貼產品:≦230mm x 230mm，厚度≦5mm