- 專利Wafer & Substrate基板垂直式工作姿態，落塵汙染降低。
- 極短臂 PP Arm，減低機構振動。產能高及排列精度穩定。
- Needle不頂出膜之挑取方式，對芯片衝擊力非常低，不損傷芯片。
- Chip取出後再定位，並且可以對基板的對位標記進行對位，排列精度≦ ± 10μm，角度精度≦ ±1° ( 3 sigma，Chip size 0.25mm~1.2mm之間 )@ 開啟bin table θ角度補償功能的條件下(芯片切割外觀工整)。
- Pick Die 異常 CCD 影像判別檢查與位置補償。
- 4 Heads Index 結構，Cycle Time 175ms (@ chip size 0.25mm~1.2mm之間) @ Bin table θ不旋轉的條件下。
產品規格:
- Wafer size : 適用GR4~GR6及205鐵框
- Chip Size : 0.1mm x 0.1mm ~ 2mm x 2mm ，T = 0.1mm ~ 0.8mm
- Substrate(基材) : 最大有效區，方形200mm x 200mm。圓形 Ø 200mm
- Cycle Time : ≦175ms chips@如下條件 : Wafer to Bin ，Bin1單顆連續挑揀。chip size 0.25mm x 0.25mm，T= 0.1mm。排列間距：≦ 0.3mm。Bin table θ不旋轉。Wafer 及料盤之Load/unload時間另計。≦205 ms chips@如下條件 : 晶粒放置有對位符號。Wafer to Bin ，Bin1單顆連續挑揀。chip size 0.25mm x 0.25mm，T= 0.1mm。排列間距：≦ 0.3mm 。Bin table θ不旋轉。Wafer 及料盤之Load/unload 時間另計
- Place Accuracy : X、Y ≦±15 μm & 角度 ≦±1°。X、Y ≦±10 μm & 角度 ≦±1°@晶粒放置有對位符號，@3σ (鏡頭倍率 1x 以上）。
